AONE38132. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONE38132

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3A-8L

Аналог (замена) для AONE38132

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONE38132 даташит

 ..1. Size:693K  aosemi
 aone38132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE38132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:436K  aosemi
 aone36182.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE36182 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:436K  aosemi
 aone36132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE36132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, IRFP460, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878