Справочник MOSFET. AONE38132

 

AONE38132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONE38132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONE38132

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONE38132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  aosemi
 aone38132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE3813225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:436K  aosemi
 aone36182.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE3618225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:436K  aosemi
 aone36132.pdf pdf_icon

AONE38132

AONE3613225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 , IRF640 , AONP36332 , AONP36336 , AONP36320 , AONP38324 , AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 .

History: SFF44N50S1 | IRHYK57133CMSE | IRF3315SPBF | BSL211DV | 2N5517 | PTP09N90 | FQB7N30TM

 

 
Back to Top

 


 
.