AONP36320 Todos los transistores

 

AONP36320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONP36320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3C-8L
 

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AONP36320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  aosemi
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AONP36320

AONP3632030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A 103A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:1546K  aosemi
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AONP36320

AONP3633630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:716K  aosemi
 aonp36332u.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP36332U30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 97A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:735K  aosemi
 aonp36332.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP3633230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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