AONP36320. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONP36320

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3C-8L

Аналог (замена) для AONP36320

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONP36320 даташит

 ..1. Size:716K  aosemi
 aonp36320.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP36320 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A 103A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:1546K  aosemi
 aonp36336.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP36336 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:716K  aosemi
 aonp36332u.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP36332U 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 97A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:735K  aosemi
 aonp36332.pdf pdf_icon

AONP36320

AONP36332 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332, AONP36336, IRF1404, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C