AONG36322 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONG36322
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 163 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3.5X5-8L
Búsqueda de reemplazo de AONG36322 MOSFET
AONG36322 Datasheet (PDF)
aong36322.pdf

AONG3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A 163A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AONP36332 , AONP36336 , AONP36320 , AONP38324 , AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AON6414A , AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , AONH36334 , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C .
History: AONP38324
History: AONP38324



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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