AONG36322. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONG36322

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 163 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN3.5X5-8L

Аналог (замена) для AONG36322

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONG36322 даташит

 ..1. Size:602K  aosemi
 aong36322.pdf pdf_icon

AONG36322

AONG36322 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A 163A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, IRFB4227, AONU32320, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C