AONG36322 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONG36322 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONG36322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 163 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.5X5-8L
 

 Аналог (замена) для AONG36322

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONG36322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  aosemi
 aong36322.pdf pdf_icon

AONG36322

AONG3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A 163A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONP36332 , AONP36336 , AONP36320 , AONP38324 , AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AON6414A , AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , AONH36334 , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C .

History: PHD82NQ03LT | WST3423 | 2SK1166 | CHM1273GP | NCEAP4090AGU | ELM14408AA | PHD78NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.