AONU32320 Todos los transistores

 

AONU32320 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONU32320
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AONU32320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  aosemi
 aonu32320.pdf pdf_icon

AONU32320

AONU3232030V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RD1D2(ON) ID (at VGS=10V) 15A Logic Level Driving RD1D2(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONP36336 , AONP36320 , AONP38324 , AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AONG36322 , P55NF06 , AON7264C , AONH36328 , AONH36334 , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C .

History: CEF07N65 | NCEAP016N60VD | IRF9520SPBF

 

 
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