AONU32320 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONU32320

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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AONU32320 datasheet

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AONU32320

AONU32320 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RD1D2(ON) ID (at VGS=10V) 15A Logic Level Driving RD1D2(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, IRF3710, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C