AONU32320. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONU32320

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для AONU32320

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONU32320 даташит

 ..1. Size:571K  aosemi
 aonu32320.pdf pdf_icon

AONU32320

AONU32320 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RD1D2(ON) ID (at VGS=10V) 15A Logic Level Driving RD1D2(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, IRF3710, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C