AONH36334 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONH36334

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0102 Ohm

Encapsulados: DFN3X3A-8L

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AONH36334 datasheet

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AONH36334

AONH36334 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONH36334

AONH36328 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, IRFB4115, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C