AONH36334 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AONH36334
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3A-8L
Аналог (замена) для AONH36334
AONH36334 Datasheet (PDF)
aonh36334.pdf

AONH3633430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aonh36328.pdf

AONH3632830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AONG36322 , AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , AON6414A , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C , AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C .
History: F12N65 | SIZ918DT | WMJ15N80M3 | RU2N65P | SSF11NS65 | IRFU6215PBF | MMD80R1K2QZRH
History: F12N65 | SIZ918DT | WMJ15N80M3 | RU2N65P | SSF11NS65 | IRFU6215PBF | MMD80R1K2QZRH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771