Справочник MOSFET. AONH36334

 

AONH36334 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONH36334
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONH36334

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONH36334 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  aosemi
 aonh36334.pdf pdf_icon

AONH36334

AONH3633430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:711K  aosemi
 aonh36328.pdf pdf_icon

AONH36334

AONH3632830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AONG36322 , AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , IRFP250N , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C , AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C .

History: SSW65R099S2E | UT3N10G-TN3-R | STP6N60M2 | 2SK3433-ZJ | 2SK1215F | 12P10G-TN3-R | BSP126

 

 
Back to Top

 


 
.