AONH36334. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONH36334

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONH36334

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONH36334 даташит

 ..1. Size:729K  aosemi
 aonh36334.pdf pdf_icon

AONH36334

AONH36334 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:711K  aosemi
 aonh36328.pdf pdf_icon

AONH36334

AONH36328 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, IRFB4115, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C