AONR21117 Todos los transistores

 

AONR21117 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONR21117
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3A-8L
 

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AONR21117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  aosemi
 aonr21117.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2111720V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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History: HM18N40F | STP4NK60Z | NVMFS5C646NL | TPCA8009-H | CTD06N017 | AO6801E | P3606HK

 

 
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