Справочник MOSFET. AONR21117

 

AONR21117 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR21117
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21117 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  aosemi
 aonr21117.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2111720V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFZ44NPBF | STB18NF25 | IGLD60R190D1 | NTMD6P02R2 | US5U38 | SQ3427EV | HAT1146C

 

 
Back to Top

 


 
.