AONR21117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR21117

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONR21117

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21117 даташит

 ..1. Size:545K  aosemi
 aonr21117.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR21117 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21117

AONR21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, 8205A, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620