AONR36326C Todos los transistores

 

AONR36326C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONR36326C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3A-8L
 

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AONR36326C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  aosemi
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AONR36326C

AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:371K  aosemi
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AONR36326C

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:547K  aosemi
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AONR36326C

AONR3632830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:401K  aosemi
 aonr36329.pdf pdf_icon

AONR36326C

AONR3632930V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: PSMN008-75P | WMK053NV8HGS | NCEP40T15A | IRFB4020PBF | TK6A60W | SLP60R190S2

 

 
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