Справочник MOSFET. AONR36326C

 

AONR36326C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR36326C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36326C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36326C

AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36326C

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:547K  aosemi
 aonr36328.pdf pdf_icon

AONR36326C

AONR3632830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:401K  aosemi
 aonr36329.pdf pdf_icon

AONR36326C

AONR3632930V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AO3420 | APT6013B2FLLG | IPD50R280CE | CM4N60 | WFD4N60 | NDT6N70 | 7N65L-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.