AOE66410 Todos los transistores

 

AOE66410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOE66410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AOE66410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
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AOE66410

AOE66410TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C , AONR36328 , AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , 5N60 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 .

History: AP3407S | HM10N60F | HGS046NE6A | FTK4703 | AM8208 | VBFB1104N | AOD510

 

 
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