AOE66410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOE66410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AOE66410 datasheet

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AOE66410

AOE66410 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, IRLB4132, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70