AOE66410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOE66410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AOE66410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE66410 даташит

 ..1. Size:381K  aosemi
 aoe66410.pdf pdf_icon

AOE66410

AOE66410 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, IRLB4132, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70