Справочник MOSFET. AOE66410

 

AOE66410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOE66410
   Маркировка: E66410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 113 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE66410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
 aoe66410.pdf pdf_icon

AOE66410

AOE66410TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPB80N03S4L-02 | SSB65R600S2 | NCE3090K

 

 
Back to Top

 


 
.