Справочник MOSFET. AOE66410

 

AOE66410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOE66410
   Маркировка: E66410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 113 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AOE66410

 

 

AOE66410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
 aoe66410.pdf

AOE66410 AOE66410

AOE66410TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top