Справочник MOSFET. AOE66410

 

AOE66410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOE66410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AOE66410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOE66410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
 aoe66410.pdf pdf_icon

AOE66410

AOE66410TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Thermal enhanced XSFET package ID (at VGS=10V) 100A Trench Power AlphaSGTTM technology Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C , AONR36328 , AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , 5N60 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 .

History: IRFS645 | AP4575GM-HF | CTD03N003 | SSM3K03FE | CM8N80F | LSE65R099GF

 

 
Back to Top

 


 
.