AONA66916 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONA66916

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 197 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONA66916 datasheet

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AONA66916

AONA66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 197A Combination of Low RDS(ON)and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

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