AONA66916 Todos los transistores

 

AONA66916 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONA66916
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 197 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AONA66916 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
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AONA66916

AONA66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 197A Combination of Low RDS(ON)and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , 2SK3568 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C .

History: NTLJS1102PTBG

 

 
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