Справочник MOSFET. AONA66916

 

AONA66916 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONA66916
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 197 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONA66916

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONA66916 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
 aona66916.pdf pdf_icon

AONA66916

AONA66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 197A Combination of Low RDS(ON)and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , 2SK3568 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C .

History: HM60N03K | 2SK1009-01 | HMS17N65D | BUK7219-55A | BUK764R4-60E | MTN7N60E3 | HFD5N65S

 

 
Back to Top

 


 
.