AONA66916. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONA66916

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 197 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONA66916

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONA66916 даташит

 ..1. Size:454K  aosemi
 aona66916.pdf pdf_icon

AONA66916

AONA66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 197A Combination of Low RDS(ON)and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, 4435, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C