AOND32324 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOND32324

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AOND32324 datasheet

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AOND32324

AOND32324 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Pch+Nch Complementary MOSFET Trench Power MOSFET ID (at VGS=10V) 16A -16A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, SPP20N60C3, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321