Справочник MOSFET. AOND32324

 

AOND32324 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOND32324
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOND32324 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  aosemi
aond32324.pdfpdf_icon

AOND32324

AOND3232430V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Pch+Nch Complementary MOSFET Trench Power MOSFET ID (at VGS=10V) 16A -16A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP10N7R5H | AP2306CGN-HF | SRT04N016LDTR-GS | WMO3N120D1 | JCS3AN150SA | IXFT80N085 | FDS8812NZ

 

 
Back to Top

 


 
.