AOND32324. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOND32324

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AOND32324

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOND32324 даташит

 ..1. Size:694K  aosemi
 aond32324.pdf pdf_icon

AOND32324

AOND32324 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Pch+Nch Complementary MOSFET Trench Power MOSFET ID (at VGS=10V) 16A -16A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, SPP20N60C3, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321