Справочник MOSFET. AOND32324

 

AOND32324 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOND32324
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AOND32324

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOND32324 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  aosemi
 aond32324.pdf pdf_icon

AOND32324

AOND3232430V Dual Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V -30V Pch+Nch Complementary MOSFET Trench Power MOSFET ID (at VGS=10V) 16A -16A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AON7410 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 .

History: UT3N06G-TM3-T | GSM3406AS

 

 
Back to Top

 


 
.