AOND62930 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOND62930

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AOND62930 datasheet

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AOND62930

AOND62930 TM 100V Dual N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 7A Dual N-Ch MOSFET Layout optimized RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, SKD502T, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300