AOND62930 Todos los transistores

 

AOND62930 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOND62930
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AOND62930 Datasheet (PDF)

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AOND62930

AOND62930TM100V Dual N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 7A Dual N-Ch MOSFET Layout optimized RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , IRF9540N , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 .

History: IXTP3N90A | 2SK1463 | NCE65NF099T | MP10N60EIF | PNMDP600V1 | JCS6AN70V

 

 
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