AOND62930. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOND62930

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AOND62930

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOND62930 даташит

 ..1. Size:709K  aosemi
 aond62930.pdf pdf_icon

AOND62930

AOND62930 TM 100V Dual N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 7A Dual N-Ch MOSFET Layout optimized RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, SKD502T, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300