Справочник MOSFET. AOND62930

 

AOND62930 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOND62930
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AOND62930

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOND62930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  aosemi
 aond62930.pdf pdf_icon

AOND62930

AOND62930TM100V Dual N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 7A Dual N-Ch MOSFET Layout optimized RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , IRF9540N , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 .

History: AO8801A | NVMFS6H824N | 2SK1444

 

 
Back to Top

 


 
.