AONS18314 Todos los transistores

 

AONS18314 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS18314
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de AONS18314 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AONS18314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  aosemi
 aons18314.pdf pdf_icon

AONS18314

AONS1831430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:671K  aosemi
 aons1r6a70.pdf pdf_icon

AONS18314

AONS1R6A70TM700V, aMOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:688K  aosemi
 aons1r1a70.pdf pdf_icon

AONS18314

AONS1R1A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , K4145 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 .

 

 
Back to Top

 


 
.