AONS18314 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONS18314
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de AONS18314 MOSFET
AONS18314 Datasheet (PDF)
aons18314.pdf

AONS1831430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons1r6a70.pdf

AONS1R6A70TM700V, aMOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aons1r1a70.pdf

AONS1R1A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , IRFB3607 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 .
History: 18N50A | ZXMN6A09K | 2SK1465 | FQD14N15TM | 2SK1818-MR | HFD1N60S | NP82N06PDG
History: 18N50A | ZXMN6A09K | 2SK1465 | FQD14N15TM | 2SK1818-MR | HFD1N60S | NP82N06PDG



Liste
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MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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