Справочник MOSFET. AONS18314

 

AONS18314 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONS18314
   Маркировка: 18314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AONS18314

 

 

AONS18314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  aosemi
 aons18314.pdf

AONS18314 AONS18314

AONS1831430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:671K  aosemi
 aons1r6a70.pdf

AONS18314 AONS18314

AONS1R6A70TM700V, aMOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:688K  aosemi
 aons1r1a70.pdf

AONS18314 AONS18314

AONS1R1A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top