AONS18314. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS18314

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS18314

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS18314 даташит

 ..1. Size:432K  aosemi
aons18314.pdfpdf_icon

AONS18314

AONS18314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:671K  aosemi
aons1r6a70.pdfpdf_icon

AONS18314

AONS1R6A70 TM 700V, aMOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:688K  aosemi
aons1r1a70.pdfpdf_icon

AONS18314

AONS1R1A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, K4145, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300, AONS30302