AONS20485 Todos los transistores

 

AONS20485 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS20485
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AONS20485 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  aosemi
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AONS20485

AONS2048540V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-40V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -40A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:387K  1
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AONS20485

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:336K  aosemi
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AONS20485

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS20485

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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History: AP9467AGM | 2SK1841 | VBFB2658 | DH020N03F | SWD4N65K | LNC07R085H

 

 
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