Справочник MOSFET. AONS20485

 

AONS20485 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS20485
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS20485

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS20485 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  aosemi
 aons20485.pdf pdf_icon

AONS20485

AONS2048540V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-40V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -40A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS20485

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS20485

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS20485

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , 4N60 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AONS32106 .

History: 2SK294 | SGSP381 | IRFH7184

 

 
Back to Top

 


 
.