AONS21113 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS21113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONS21113 datasheet

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AONS21113

AONS21113 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AONS21113

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AONS21113

AONS21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AONS21113

AONS21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

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