Справочник MOSFET. AONS21113

 

AONS21113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS21113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS21113

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  aosemi
 aons21113.pdf pdf_icon

AONS21113

AONS2111320V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21113

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21113

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS21113

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , 4435 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AONS32106 , AONS32302 .

History: 12N65KL-TQ2-T | IRFH7194

 

 
Back to Top

 


 
.