Справочник MOSFET. AONS21113

 

AONS21113 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONS21113
   Маркировка: 21113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 390 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AONS21113

 

 

AONS21113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  aosemi
 aons21113.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS2111320V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.3. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.4. Size:387K  aosemi
 aons21357.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.5. Size:399K  aosemi
 aons21309c.pdf

AONS21113 AONS21113

AONS21309C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top