AONS21309C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS21309C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONS21309C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS21309C datasheet

 ..1. Size:399K  aosemi
 aons21309c.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21309C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
 aons21303c.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21303C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -180A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, IRF1010E, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303