Справочник MOSFET. AONS21309C

 

AONS21309C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS21309C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21309C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  aosemi
 aons21309c.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21309C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTMFS4927N | CRST037N10N | FQI3N90TU | WVM6N100 | SST60R280SFD | TPH2900ENH | NCE65N230

 

 
Back to Top

 


 
.