AONS21309C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS21309C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS21309C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21309C даташит

 ..1. Size:399K  aosemi
 aons21309c.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21309C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -70A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
 aons21303c.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21303C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -180A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21309C

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, IRF1010E, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303