AONS32100 Todos los transistores

 

AONS32100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS32100
   Código: 32100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00073 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AONS32100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  aosemi
 aons32100.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS3210025V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 25V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:420K  aosemi
 aons32106.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS3210620V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 20A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: IRFH7110 | 2SK3377-Z

 

 
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