AONS32100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS32100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00073 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS32100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32100 даташит

 ..1. Size:633K  aosemi
 aons32100.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS32100 25V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 25V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:420K  aosemi
 aons32106.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS32106 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 20A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32100

AONS32302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306, NCEP15T14, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310, AONS34304C, AONS34308C, AONS36302