AONS34308C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS34308C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONS34308C datasheet

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AONS34308C

AONS34308C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:405K  aosemi
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AONS34308C

AONS34304C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
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AONS34308C

AONS30300 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:769K  aosemi
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AONS34308C

AONS38108 25V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 25V Trench Power MOSFET technology Extremely Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 355A Optimized switching performance (low RDS(ON)*Qg) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310, AONS34304C, 4N60, AONS36302, AONS36303, AONS36304, AONS36306, AONS36308, AONS36312, AONS36314, AONS36316