AONS34308C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS34308C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS34308C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS34308C даташит

 ..1. Size:436K  aosemi
aons34308c.pdfpdf_icon

AONS34308C

AONS34308C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS34308C

AONS34304C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS34308C

AONS30300 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:769K  aosemi
aons38108.pdfpdf_icon

AONS34308C

AONS38108 25V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 25V Trench Power MOSFET technology Extremely Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 355A Optimized switching performance (low RDS(ON)*Qg) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310, AONS34304C, 4N60, AONS36302, AONS36303, AONS36304, AONS36306, AONS36308, AONS36312, AONS36314, AONS36316