AONS66641T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AONS66641T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS66641T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 325 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 325 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de AONS66641T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AONS66641T datasheet

..1. Size:419K aosemi
aons66641t.pdf pdf_icon

AONS66641T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

5.1. Size:407K aosemi
aons66641.pdf pdf_icon

AONS66641 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:412K aosemi
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AONS66609 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.2. Size:377K aosemi
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AONS66612 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)