Справочник MOSFET. AONS66641T

 

AONS66641T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66641T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 325 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 325 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66641T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  aosemi
aons66641t.pdfpdf_icon

AONS66641T

AONS66641TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:407K  aosemi
aons66641.pdfpdf_icon

AONS66641T

AONS66641TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:412K  aosemi
aons66609.pdfpdf_icon

AONS66641T

AONS66609TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:377K  aosemi
aons66612.pdfpdf_icon

AONS66641T

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHU97NQ03LT | VSE002N03MS-G | IPD30N06S2-23 | 2SK3430-ZJ | NTTFS4932NTAG | IXTP4N50A | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.