AONS66641T - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AONS66641T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66641T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 325 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 325 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66641T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AONS66641T даташит

..1. Size:419K aosemi
aons66641t.pdf pdf_icon

AONS66641T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

5.1. Size:407K aosemi
aons66641.pdf pdf_icon

AONS66641 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:412K aosemi
aons66609.pdf pdf_icon

AONS66609 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.2. Size:377K aosemi
aons66612.pdf pdf_icon

AONS66612 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)