AONS66909 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AONS66909 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS66909

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONS66909 datasheet

..1. Size:422K aosemi
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AONS66909 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 160A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:416K aosemi
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AONS66908 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 158A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.2. Size:771K aosemi
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AONS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 47A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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