Справочник MOSFET. AONS66909

 

AONS66909 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66909
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66909

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66909 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  aosemi
 aons66909.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66909TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 160A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:416K  aosemi
 aons66908.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66908TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 158A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:771K  aosemi
 aons66923.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 47A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66617 , AONS66620 , AONS66641 , AONS66641T , AONS66811 , AONS66814 , AONS66817 , AONS66908 , IRF640N , AONS66916T , AONS66917 , AONS66917T , AONS66919 , AONS66920 , AONS66923 , AONS67614 , AONS68520 .

History: IXFX80N60P3 | FDFS6N548

 

 
Back to Top

 


 
.