AONS66909. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66909

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66909

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66909 даташит

 ..1. Size:422K  aosemi
 aons66909.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66909 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 160A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:416K  aosemi
 aons66908.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66908 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 158A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:771K  aosemi
 aons66923.pdf pdf_icon

AONS66909

AONS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 47A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66617, AONS66620, AONS66641, AONS66641T, AONS66811, AONS66814, AONS66817, AONS66908, IRFB4110, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920, AONS66923, AONS67614, AONS68520