AONS66916T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONS66916T
Código: 66916T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 258 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 184 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONS66916T
AONS66916T Datasheet (PDF)
aons66916t.pdf
AONS66916TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 184A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons66916.pdf
AONS66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons66917t.pdf
AONS66917TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 185A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons66919.pdf
AONS66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aons66917.pdf
AONS66917TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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