Справочник MOSFET. AONS66916T

 

AONS66916T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66916T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 184 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66916T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66916T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  aosemi
 aons66916t.pdf pdf_icon

AONS66916T

AONS66916TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 184A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66916T

AONS66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:340K  aosemi
 aons66917t.pdf pdf_icon

AONS66916T

AONS66917TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 185A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:419K  aosemi
 aons66919.pdf pdf_icon

AONS66916T

AONS66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66620 , AONS66641 , AONS66641T , AONS66811 , AONS66814 , AONS66817 , AONS66908 , AONS66909 , IRF630 , AONS66917 , AONS66917T , AONS66919 , AONS66920 , AONS66923 , AONS67614 , AONS68520 , AONS74304 .

History: BLF7G20LS-200

 

 
Back to Top

 


 
.