AONS67614 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS67614

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONS67614 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS67614 datasheet

 ..1. Size:780K  aosemi
aons67614.pdf pdf_icon

AONS67614

AONS67614 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:336K  1
aons62922.pdf pdf_icon

AONS67614

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdf pdf_icon

AONS67614

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:313K  aosemi
aons66916.pdf pdf_icon

AONS67614

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS66908, AONS66909, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920, AONS66923, AON6414A, AONS68520, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, AONX36320, AONX36322