AONS67614. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS67614

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS67614

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS67614 даташит

 ..1. Size:780K  aosemi
aons67614.pdfpdf_icon

AONS67614

AONS67614 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:336K  1
aons62922.pdfpdf_icon

AONS67614

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdfpdf_icon

AONS67614

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:313K  aosemi
aons66916.pdfpdf_icon

AONS67614

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS66908, AONS66909, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920, AONS66923, AON6414A, AONS68520, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, AONX36320, AONX36322