AONS74312 Todos los transistores

 

AONS74312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS74312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 118 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AONS74312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  aosemi
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AONS74312

AONS7431230V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) ID (at VGS=10V) 210A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:393K  aosemi
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AONS74312

AONS7430630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 370A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:396K  aosemi
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AONS74312

AONS7430430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 440A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
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AONS74312

AONS77402TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 335A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: 2N5114 | WFY3N02 | APT904R2AN | FTK2N65F | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | IRFM120A

 

 
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