Справочник MOSFET. AONS74312

 

AONS74312 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONS74312
   Маркировка: 74312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AONS74312

 

 

AONS74312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  aosemi
 aons74312.pdf

AONS74312 AONS74312

AONS7431230V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) ID (at VGS=10V) 210A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:393K  aosemi
 aons74306.pdf

AONS74312 AONS74312

AONS7430630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 370A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:396K  aosemi
 aons74304.pdf

AONS74312 AONS74312

AONS7430430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 440A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
 aons77402.pdf

AONS74312 AONS74312

AONS77402TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 335A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top