AONS850A70 Todos los transistores

 

AONS850A70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS850A70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AONS850A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  aosemi
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AONS850A70

AONS850A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: AP9620GM | RF4E070GN | 2N65L-TMS2-T | IPP057N06N3 | VBA3316 | 2SK2133-Z | 2N65G-TMS-T

 

 
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