AONS850A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS850A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS850A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS850A70 даташит

 ..1. Size:660K  aosemi
 aons850a70.pdf pdf_icon

AONS850A70

AONS850A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONS66920, AONS66923, AONS67614, AONS68520, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, IRFP250N, AONX36320, AONX36322, AONX36324, AONX38168, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304