Справочник MOSFET. AONS850A70

 

AONS850A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS850A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS850A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS850A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  aosemi
 aons850a70.pdf pdf_icon

AONS850A70

AONS850A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AONS66920 , AONS66923 , AONS67614 , AONS68520 , AONS74304 , AONS74306 , AONS74312 , AONS77402 , AON7408 , AONX36320 , AONX36322 , AONX36324 , AONX38168 , AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 .

History: PJF9NA90 | AP9465AGJ

 

 
Back to Top

 


 
.