AONX38168 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AONX38168
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONX38168

AONX38168 Datasheet (PDF)

..1. Size:546K aosemi
aonx38168.pdf

AONX3816825V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

0.1. Size:586K aosemi
aonx38168a.pdf

AONX38168A25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 87A 226A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:539K aosemi
aonx38320.pdf

AONX3832030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:1214K aosemi
aonx36322.pdf

AONX3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:1027K aosemi
aonx36324.pdf

AONX3632430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:563K aosemi
aonx36320.pdf

AONX36320TM30V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: