AONX38168. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONX38168

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONX38168

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONX38168 даташит

 ..1. Size:546K  aosemi
 aonx38168.pdf pdf_icon

AONX38168

AONX38168 25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:586K  aosemi
 aonx38168a.pdf pdf_icon

AONX38168

AONX38168A 25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 87A 226A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:539K  aosemi
 aonx38320.pdf pdf_icon

AONX38168

AONX38320 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:1214K  aosemi
 aonx36322.pdf pdf_icon

AONX38168

AONX36322 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Bottom Source Technology VDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, AONX36320, AONX36322, AONX36324, 2SK3878, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AONY36306, AONY36356, AONZ66412