AONZ66412 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONZ66412

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 182 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: DFN5X6F-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONZ66412 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONZ66412 datasheet

 ..1. Size:586K  aosemi
 aonz66412.pdf pdf_icon

AONZ66412

AONZ66412 TM 40V Dual Asymmetric N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 40V 40V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 182A 182A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONX38168, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AONY36306, AONY36356, IRFP260, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60