AONZ66412 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONZ66412 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONZ66412
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6F-8L
 

 Аналог (замена) для AONZ66412

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONZ66412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  aosemi
 aonz66412.pdf pdf_icon

AONZ66412

AONZ66412TM40V Dual Asymmetric N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 40V 40V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 182A 182A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONX38168 , AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , IRFP260 , AONV095A60 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 .

History: BSS84Z | IPA60R125P6 | FDU8778 | IPA60R160P6 | IPA60R280P6 | IRFP044PBF

 

 
Back to Top

 


 
.