AONZ66412 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AONZ66412
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6F-8L
Аналог (замена) для AONZ66412
AONZ66412 Datasheet (PDF)
aonz66412.pdf

AONZ66412TM40V Dual Asymmetric N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 40V 40V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 182A 182A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AONX38168 , AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , 8205A , AONV095A60 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 .
History: NCEP12T13A | AONY36356 | AP95T10GW-HF
History: NCEP12T13A | AONY36356 | AP95T10GW-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor