AONZ66412. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONZ66412

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6F-8L

Аналог (замена) для AONZ66412

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONZ66412 даташит

 ..1. Size:586K  aosemi
 aonz66412.pdf pdf_icon

AONZ66412

AONZ66412 TM 40V Dual Asymmetric N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 40V 40V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 182A 182A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONX38168, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AONY36306, AONY36356, IRFP260, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60