Справочник MOSFET. AONZ66412

 

AONZ66412 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONZ66412
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6F-8L
 

 Аналог (замена) для AONZ66412

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONZ66412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  aosemi
 aonz66412.pdf pdf_icon

AONZ66412

AONZ66412TM40V Dual Asymmetric N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 40V 40V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 182A 182A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONX38168 , AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , 8205A , AONV095A60 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 , AONV180A60 , AONV200A70 , AONV210A60 , AONV310A60 .

History: NVTFS4C06N | HAT1146C | BLA1011S-200R | NCE60H15T | NCEP40T17AT | SIA929DJ | RJK0603DPN-E0

 

 
Back to Top

 


 
.