AONV095A60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONV095A60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: DFN8X8-4L

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AONV095A60 datasheet

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AONV095A60

AONV095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:607K  aosemi
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AONV095A60

AONV070V65G1 650V Enhancement Mode GaN Transistor Features Product Summary 650V Enhancement Mode GaN Transistor VDS @ TJ, max 650V Normal-off Design IDM 45A Ultra-low Qg RDS(ON) 70m No Qrr Qg, typ 6.9nC Low Inductance Eoss @ 400V 6 J Applications Server Power Supplies High-Frequency Converters Resonant Topologies Pin Configuration and Pin Nam

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